企业简介
北京燕东微电子有限公司 main business:半导体分立器件制造 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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北京燕东微电子有限公司的工商信息
- 110000002083964
- 91110000101125734D
- 开业
- 有限责任公司(国有控股)
- 1987年10月06日
- 谢小明
- 53596.420000
- 2000年12月28日 至 2050年12月27日
- 北京市工商行政管理局
- 2017年06月09日
- 北京市朝阳区东直门外西八间房
- 制造、加工半导体器件；设计、销售半导体器件及其应用技术服务；自营和代理各类商品及技术的进出口业务，但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；机动车公共停车场服务。（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
北京燕东微电子有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 北京燕东微电子有限公司 | www.ydme.net |
| 网站 | 北京燕东微电子有限公司 | www.ydme.com |
北京燕东微电子有限公司的商标信息
北京燕东微电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106169508A | 一种双向超低电容瞬态电压抑制器及其制作方法 | 2016.11.30 | 本发明涉及一种双向超低电容TVS及其制作方法，该TVS包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的 |
| 2 | CN105932023A | 瞬态电压抑制器 | 2016.09.07 | 公开了瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一掺杂区；位于所述半 |
| 3 | CN103050548B | 肖特基二极管及其制造方法 | 2016.07.06 | 本发明涉及一种肖特基二极管及其制造方法。该肖特基二极管，包括阴极金属层，阴极金属层上的N型硅芯片，该 |
| 4 | CN104269443B | 一种恒流二极管 | 2017.04.12 | 本发明公开一种大恒定电流值的环状纵向结构恒流二极管。该二极管依次包括第一金属电极，半导体衬底，形成在 |
| 5 | CN104112653B | 一种自补偿背封半导体衬底的制备方法 | 2017.04.12 | 本发明公开了一种自补偿背封半导体衬底的制备方法，包括在重掺杂衬底上生长反型轻掺杂外延层的工艺方法。本 |
| 6 | CN103383917B | 一种低电压二极管及其制造方法 | 2017.04.05 | 本发明涉及一种低电压二极管及其制造方法。该方法包括以下步骤：在第一导电类型的外延层上形成具有开口的绝 |
| 7 | CN106158851A | 一种双向超低电容瞬态电压抑制器及其制作方法 | 2016.11.23 | 本发明涉及一种双向超低电容TVS及其制作方法。该TVS包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的 |
| 8 | CN205680681U | 多通道瞬态电压抑制器 | 2016.11.09 | 公开了一种多通道瞬态电压抑制器。所述多通道瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的外延层 |
| 9 | CN102646601B | 一种半导体结构及其制造方法 | 2016.09.28 | 本发明提供一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成外延层；在 |
| 10 | CN205595333U | 单通道瞬态电压抑制器 | 2016.09.21 | 本申请公开了单通道瞬态电压抑制器。所述单通道瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一 |
| 11 | CN205595332U | 单通道瞬态电压抑制器 | 2016.09.21 | 公开了单通道瞬态电压抑制器。所述单通道瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一掺杂区 |
| 12 | CN205595334U | 多通道瞬态电压抑制器 | 2016.09.21 | 本申请公开了多通道瞬态电压抑制器。所述多通道瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的外延 |
| 13 | CN105932010A | 瞬态电压抑制器 | 2016.09.07 | 公开了瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一掺杂区；位于所述半 |
| 14 | CN102623506B | 高可靠SOI LDMOS功率器件 | 2016.05.04 | 公开了一种高可靠SOI LDMOS功率器件，包括：在SOI LDMOS功率器件的顶层硅中，注入有高浓 |
| 15 | CN102623507B | 栅下体引出高可靠LDMOS功率器件 | 2016.04.27 | 公开了一种栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，包括：在LDMOS功率器件的LDMOS栅的下方注入有体 |
| 16 | CN103078645B | 一种宏单元、二进制码到温度计码的译码方法及译码电路 | 2016.04.27 | 本发明公开了一种宏单元，该宏单元包括一个二输入的或门和一个二输入的与门。应用该宏单元的二进制码到温度 |
| 17 | CN103871384B | 一种液晶材料交流驱动控制信号生成结构 | 2016.03.30 | 本发明属于液晶显像技术领域，公开了一种液晶材料交流驱动控制信号生成结构，用于由开关管M<sub>1< |
| 18 | CN205092242U | 容性二极管组件 | 2016.03.16 | 公开了容性二极管组件。所述容性二极管组件包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第二导电类 |
| 19 | CN205016525U | 容性二极管组件 | 2016.02.03 | 公开了容性二极管组件。所述容性二极管组件包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第二导电类 |
| 20 | CN102569294B | 提高静电保护器件维持电压的方法 | 2016.01.13 | 公开了一种提高静电保护器件维持电压的方法，包括：首先在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或 |
| 21 | CN105186478A | 瞬态电压抑制器 | 2015.12.23 | 公开了瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器具有信号端和接地端，包括：彼此串联连接的容性二极管组件和第一 |
| 22 | CN105185783A | 容性二极管组件及其制造方法 | 2015.12.23 | 公开了容性二极管组件及其制造方法。所述容性二极管组件包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上 |
| 23 | CN105185782A | 容性二极管组件及其制造方法 | 2015.12.23 | 公开了容性二极管组件及其制造方法。所述容性二极管组件包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上 |
| 24 | CN204885150U | 瞬态电压抑制器封装组件 | 2015.12.16 | 公开了一种瞬态电压抑制器封装组件，其特征在于，包括：封装框架，包括多个引脚；第一容性二极管组件，安装 |
| 25 | CN204886173U | 瞬态电压抑制器 | 2015.12.16 | 公开了瞬态电压抑制器。所述瞬态电压抑制器具有信号端和接地端，包括：彼此串联连接的容性二极管组件和第一 |
| 26 | CN204720434U | 一种晶圆转换片夹 | 2015.10.21 | 本实用新型公开一种晶圆转换片夹，包括用于放置待加工晶圆的底盘、至少一个设置在所述底盘靠近边缘处的挡块 |
| 27 | CN103079157B | 集成声腔的阻抗转换和信号放大器及电容式麦克风 | 2015.07.15 | 本发明涉及一种集成声腔的阻抗转换和信号放大器和电容式麦克风。该集成声腔的阻抗转换和信号放大器，包括多 |
| 28 | CN204348725U | 一种单通道低电容瞬态电压抑制器件 | 2015.05.20 | 本实用新型涉及一种单通道低电容瞬态电压抑制器件。该器件包括：第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底上第 |
| 29 | CN204348721U | 一种多通道低电容瞬态电压抑制器件 | 2015.05.20 | 本实用新型涉及一种多通道低电容瞬态电压抑制器件。该器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的外延层，形 |
| 30 | CN104465723A | 一种低电容瞬态电压抑制器件及其制作方法 | 2015.03.25 | 本发明涉及一种瞬态电压抑制器件及其制造方法。该器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的外延层，形成在 |
| 31 | CN303120698S | LED射灯 | 2015.03.04 | 1．本外观设计产品的名称：LED射灯。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于照明。3．本外观设 |
| 32 | CN204155939U | 一种恒流二极管 | 2015.02.11 | 本实用新型公开一种恒流二极管，该二极管依次包括第一金属电极，半导体衬底，形成在半导体衬底上的第一导电 |
| 33 | CN104269443A | 一种恒流二极管 | 2015.01.07 | 本发明公开一种大恒定电流值的环状纵向结构恒流二极管。该二极管依次包括第一金属电极，半导体衬底，形成在 |
| 34 | CN204029812U | 一种具有自补偿背封层的半导体衬底 | 2014.12.17 | 本实用新型公开了一种具有自补偿背封层的半导体衬底。该衬底包括：具有第一掺杂浓度的第一导电类型的基片； |
| 35 | CN104112653A | 一种自补偿背封半导体衬底的制备方法 | 2014.10.22 | 本发明公开了一种自补偿背封半导体衬底的制备方法，包括在重掺杂衬底上生长反型轻掺杂外延层的工艺方法。本 |
| 36 | CN203649606U | 一种用于电子元器件的电动吸锡装置 | 2014.06.18 | 本实用新型公开一种用于电子元器件的电动吸锡装置，包括箱体，箱体上设有吸锡接头，该吸锡接头进口端设置在 |
| 37 | CN203367292U | 一种低电压二极管 | 2013.12.25 | 本实用新型涉及一种低电压二极管。该低电压二极管依次包括第一电极层；第一电极层上的硅衬底；硅衬底上第一 |
| 38 | CN203327233U | 集成声腔的阻抗转换和信号放大器及电容式麦克风 | 2013.12.04 | 本实用新型涉及一种集成声腔的阻抗转换和信号放大器和电容式麦克风。该集成声腔的阻抗转换和信号放大器，包 |
| 39 | CN103383917A | 一种低电压二极管及其制造方法 | 2013.11.06 | 本发明涉及一种低电压二极管及其制造方法。该方法包括以下步骤：在第一导电类型的外延层上形成具有开口的绝 |
| 40 | CN202996845U | 一种肖特基二极管 | 2013.06.12 | 本实用新型涉及一种肖特基二极管。该肖特基二极管，包括阴极金属层，阴极金属层上的N型硅芯片，该N型硅芯 |
| 41 | CN103079157A | 集成声腔的阻抗转换和信号放大器及电容式麦克风 | 2013.05.01 | 本发明涉及一种集成声腔的阻抗转换和信号放大器和电容式麦克风。该集成声腔的阻抗转换和信号放大器，包括多 |
| 42 | CN103050548A | 肖特基二极管及其制造方法 | 2013.04.17 | 本发明涉及一种肖特基二极管及其制造方法。该肖特基二极管，包括阴极金属层，阴极金属层上的N型硅芯片，该 |
| 43 | CN202871785U | 触发整流集成器件 | 2013.04.10 | 本实用新型提供一种集成式节能灯触发整流器件，包括塑料封装体，金属引线框架，和金属引线框架位于塑料封装 |
| 44 | CN102916003A | 触发整流集成器件 | 2013.02.06 | 本发明提供一种集成式节能灯触发整流器件，包括塑料封装体，金属引线框架，和金属引线框架位于塑料封装体外 |
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